مطالعه لایه های نازک شفاف و رسانای اکسید ایندیم و پنتاکسید وانادیم در حسگرهای گازی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه
- نویسنده مژده عباسی
- استاد راهنما سید محمد روضاتی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1392
چکیده
لایه های نازک نانو ساختار پنتاکسید وانادیم و اکسید ایندیم به روش اسپری پایرولیزز لایه نشانی شدند. دمای زیر لایه برای فیلم های v2o5 بین 300 تا 500 و برای in2o3بین 400 تا 500 درجه سلسیوس تغییر داده شد. خواص ساختاری و مورفولوژیکی فیلم ها به وسیله ی آنالیز های xrd و semو afm مورد مطالعه قرار گرفت. حساسیت فیلم های تهیه شده با دماهای مختلف زیر لایه نسبت به بخار اتانول بررسی شد. تصاویر xrd نشان داد که فیلم های نهشته شده در کمترین دمای پایرولیز پیک های ضعیفی دارند اما با افزایش دما تا 500 درجه سلسیوس بلورینگی فیلم ها افزایش یافته است. آنالیز فرکتال یک گرایش به کاهش را نسبت به دمای پایرولیز نشان می دهد. دمای کار حسگر برای رسیدن به بهترین پاسخ حسگری بهینه شد. حساسیت به طور خطی با افزایش غلظت اتانول افزایش یافت. مشخص شد که فیلم های نهشته شده در پایین ترین دمای زیر لایه، بالاترین پاسخ حسگری را به اتانول داشته اند. تغییر مدت زمان رسوب نیز برای حسگر پنتاکسید وانادیوم مورد مطالعه قرار گرفت و نشان داد که کم بودن مدت زمان لایه نشانی عامل مناسبی برای حسگری بوده است.
منابع مشابه
بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...
متن کاملبررسی خواص فیزیکی لایه‌های نازک رسانا و شفاف اکسید ایندیم آلاییده به قلع برحسب ضخامت و دمای بازپخت در خلأ
Thin films Indium tin oxide (ITO) with various thicknesses, from 130-620nm, have been deposited on the thin glass substrates by RF sputtering using ITO ceramic (90% wt. In2O3 and 10% wt. SnO2) target, and subsequently annealed in vacuum at various temperatures. Electrical and optical characteristics of ITO samples, before and after annealing at different temperatures, were investigated by four ...
متن کاملریزساختار و خواص لایه های نازک اکسید وانادیم(VOx) تهیه شده در دستگاه کند و پاش مغناطیسی واکنشی
لایه های نازک اکسید وانادیم(VOx) در سیستم کند و پاش مغناطیسی جریان مستقیم تهیه شدند. به منظور دستیابی به فازهایمختلف از اکسید وانادیم، نمونه ها تحت دماها و اتمسفرهای مختلف آنیل شدند. در ابتدالایه های نازک اکسید وانادیم(VOx)بدست آمده در دو دمای مختلف 450 و 500oC آنیل شدند. هر دو لایه شامل ترکیبی از فازهای VO2(M) و V2O5 بودند. فاز غالب در دمای 450oC فاز VO2(M) بود که در دمای 500oC به فاز V2O5 ...
متن کاملرشد و مشخصه یابی لایه های نازک اکسید رسانای شفاف cd2sno4
بر اساس نتایج به دست آمده از طیف های پراش پرتو x و تصاویر sem دمای لایه نشانی 450 درجه سانتیگراد به عنوان بهترین دمای رشد لایه نازک استنات کادمیم اتنخاب شد. لایه نازک مورد نظر در این دما دارای خواص بهینه ساختاری، اپتیکی و الکتریکی بود. افزایش حجم محلول اسپری از 50 تا 150 میلی لیتر باعث شکل گیری بهتر ساختار در این دما گردید. بنابراین اثر آلایش و عملیات حرارتی نیز در این دما و در حجم محلول 150 ...
15 صفحه اولتاثیر ضخامت و آلایش- f در بهینه سازی خواص الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک رسانای شفاف fto(sno2:f)
در این پژوهش لایه های نازک رسانا و شفاف fto را به روش اسپری بر روی زیرلایه های شیشه لایه نشانی کرده ایم. تاثیر حجم محلول (ضخامت لایه ها) و نسبت آلایش f را بر خواص الکتریکی و اپتیکی لایه ها مورد بررسی قرار گرفت. مورفولوژی نانوساختارها و نحوه رشد آنها را توسط تصاویر sem مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. طیف عبور اپتیکی توسط دستگاه طیف سنج optics ocean و مقاومت سطحی لایه ها بر حسب حجم محلول (ضخامت لای...
متن کاملبررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع
در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (xrd) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023